PCB制造影響電鍍填孔工藝的基本因素

? ? ? ?全球電鍍PCB產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占電子元件產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的比例迅速增長，是電子元件細分產(chǎn)業(yè)中比重最大的產(chǎn)業(yè)，占有獨特地位，電鍍PCB的每年產(chǎn)值為600億美元。電子產(chǎn)品的體積日趨輕薄短小，通盲孔上直接疊孔是獲得高密度互連的設(shè)計方法。要做好疊孔，首先應將孔底平坦性做好。典型的平坦孔面的制作方法有好幾種，電鍍填孔工藝就是其中具有代表性的一種。
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　　電鍍填孔工藝除了可以減少額外制程開發(fā)的必要性，也與現(xiàn)行的工藝設(shè)備兼容，有利于獲得良好的可靠性 。
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　　電鍍填孔有以下幾方面的優(yōu)點 ：
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　　(1)有利于設(shè)計疊孔(Stacked)和盤上孔(Via．on．Pad)；
　　(2)改善電氣性能，有助于高頻設(shè)計；
　　(3)有助于散熱；
　　(4)塞孔和電氣互連一步完成；
　　(5)盲孔內(nèi)用電鍍銅填滿，可靠性更高，導電性能比導電膠更好。
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　　1化學影響因素
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　　1．1無機化學成分
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　　無機化學成分包括銅(Cu：)離子、硫酸和氯化物。
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　　(1)硫酸銅。硫酸銅是鍍液中銅離子的主要來源。鍍液中銅離子通過陰極和陽極之間的庫侖平衡，維持濃度不變。通常陽極材料和鍍層材料是一樣的，在這里銅既是陽極也是離子源。當然，陽極也可以采用不溶性陽極，Cu2+采用槽外溶解補加的方式 ，如采用純銅角、CuO粉末、CuCO等。但是，需要注意的是，采用槽外補加的方式，極易混入空氣氣泡，在低電流區(qū)使Cu2處于超飽和臨界狀態(tài)，不易析出。值得注意的是，提高銅離子濃度對通孔分散能力有負面影響。
　　(2)硫酸。硫酸用于增強鍍液的導電性，增加硫酸濃度可以降低槽液的電阻與提高電鍍的效率。
　　但是如果填孔電鍍過程中硫酸濃度增加，影響填孔的銅離子 補充，將造成填孔不良。在填孔電鍍時一般會使用低硫酸濃度系統(tǒng)，以期獲得較好的填孔效果。
　　(3)酸銅比。傳統(tǒng)的高酸低銅(C+：C：+=8-13)體系適用于通孔電鍍，電鍍填孔應采用低酸高銅
　　(C+：Cz=3-10)鍍液體系。這是因為為了獲得良好的填孔效果，微導通孔內(nèi)的電鍍速率應大于基板表面的電鍍速率，在這種情況下，與傳統(tǒng)的電鍍通孔的電鍍?nèi)芤合啾?，溶液配方由高酸低銅改為低酸高銅，保證了凹陷處銅離子的供應無后顧之憂。
　　(4)氯離子。氯離子的作用主要是讓銅離子與金屬銅在雙電層間形成穩(wěn)定轉(zhuǎn)換的電子傳遞橋梁。
　　在電鍍過程中，氯離子在陽極可幫助均勻溶解咬蝕磷銅球，在陽極表面形成一層均勻的陽極膜。在陰極與抑制劑協(xié)同 作用讓銅離子穩(wěn)定沉積，降低極化，使鍍層精細。
　　另外，常規(guī)的氯離子分析是在紫外可見光分光光度計卜進行 的，而由于電鍍填孔鍍液對氯離子濃度的要求較嚴格，同時硫酸銅鍍液呈藍色，對分光光度計的測量影響很，所以應 考慮采用自動電位滴定分析。
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　　2。有機添加劑
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　　采用有機添加劑可以使鍍層銅晶粒精細化，改善分散能力，使鍍層光亮、整平。酸性鍍銅液中添加劑類型主要有三種：載運劑(Carrier)、整平劑(Leveler)和光亮劑(Brightener)。
　　(1)載運劑。載運劑是高分子的聚醇類化合。
　　載運劑被陰極表面吸附，與氯離子一起作用抑制電鍍速率，使高低電流區(qū)的差異降低(亦即增加極化電阻)，讓電鍍銅能 均勻的持續(xù)沉積。抑制劑同時可充當潤濕劑，降低界面的表面張力(降低接觸角)，讓鍍液更容易進入孔內(nèi)增加傳 質(zhì) 效 果。在填孔電鍍中，抑制劑也可以銅層均勻沉積。
　　(2)整平劑。整平劑通常是含氮有機物，主要功能是吸附在高電流密度區(qū)(凸起區(qū)或轉(zhuǎn)角處)，使該處的電鍍速度趨緩但不影響低電流密度區(qū)(凹陷區(qū))的電鍍，借此來整平表面 ，是電鍍時的必要添加劑。一般地，電鍍填孔采用高銅低酸 系統(tǒng)會使鍍層粗糙，研究表明，加入整平劑可有效改善鍍層不良的問題。
　　(3)光亮劑。光亮劑通常足含硫有機物，在電鍍中主要作用是幫助銅離子加速在陰極還原，同時形成新的鍍銅晶核(降低表面擴散沉積能量)，使銅層結(jié)構(gòu)變得更細致。光亮劑在填孔電鍍中的另一個作用是，若孔內(nèi)有較多的光亮劑分配比率，可以幫助盲孔孔內(nèi)電鍍銅迅速沉積。對于激光盲孔的填孔電鍍而言，三種添加劑全用，且整平劑的用量還要適當?shù)靥岣?，使在板面上較高電流區(qū)，形成整平劑與Cuz競爭的局面，阻止
　　面銅長快長厚。相對地，微導通孔中光亮劑分布較多的凹陷處有機會鍍得快一點，這種理念與做法與IC鍍銅制程的Demascene CopperPlating頗為相似。
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　　3.物理影響參數(shù)
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　　需要研究的物理參數(shù)有：陽極類型、陰陽極間距 、 電流密度、攪動、溫度、整流器和波形等。
　　(1)陽極類型。談到陽極類型，不外乎是可溶性陽極與不溶性陽極?？扇苄躁枠O通常是含磷銅球，容易產(chǎn)生陽極泥，污染鍍液，影響鍍液性能。不溶性陽極，亦稱惰性陽極，一般是涂覆有鉭和鋯混合氧化物的鈦網(wǎng)來組成。不溶性陽極，穩(wěn)定性好，無需進行陽極維護，無陽極泥產(chǎn)生，脈沖或直流電鍍均適用；不過，添加劑消耗量較大。
　　(2)陰陽極間距。電鍍填孔工藝中陰極與陽極之間的間距設(shè)計是非常重要的，而且不同類型的設(shè)備的設(shè)計也不盡相同。不過，需要指出的是，不論如何設(shè)計，都不應違背法拉第一定律。
　　(3)攪拌。攪拌的種類很多，有機械搖擺、電震動、氣震動、空氣攪拌、射流(Eductor)等。
　　對于電鍍填孔，一般都傾向于在傳統(tǒng)銅缸的配置基礎(chǔ)，增加射流設(shè)計。不過，究竟是底部噴流還是側(cè)面射流，在缸內(nèi)噴流管與空氣攪拌管如何布局；每小時的射流量為多少；射流管與陰極間距多少；如果是采用側(cè)面射流，則射流是在陽極前面還是后面；如果是采用底部射流，是否會造成攪拌不均勻，鍍液攪拌上弱下強；射流管上射流的數(shù)量、間距、角度都是在銅缸設(shè)計時不得不考慮的因素，而且還要進行大量的試驗。
　　另外，最理想的方式就是每根射流管都接入流量計，從而達到監(jiān)控流量的目的。由于射流量大，溶液容易發(fā)熱，所以溫度控制也很重要。
　　(4)電流密度與溫度。低電流密度和低溫可以降低表面銅的沉積速率，同時提供足夠的Cu2和光亮劑到孔內(nèi)。在這種條件 下，填孔能力得以加強，但同時也降低了電鍍效率。
　　(5)整流器。整流器是電鍍工藝中的一個重要環(huán)節(jié)。目前，對于電鍍填孔的研究多局限于全板電鍍，若是考慮到圖形電鍍填孔，則陰極面積將變得很小。此時，對于整流器的輸出精度提出了很高的要求。
　　整流器的輸出精度的選擇應依產(chǎn)品的線條和過孔的尺寸來定。線條愈細、孔愈小，對整流器的精度要求應更高。通常應選擇輸出精度在5％以內(nèi)的整流器為宜。選擇的整流器精度過高會增加設(shè)備的投資。整流器的輸出電纜配線，首先應將整流器盡量安放在鍍槽邊上，這樣可以減少輸出電纜的長度，減少脈沖電流上升時間。整流器輸出電纜線規(guī)格的選擇應滿足在80％最大輸出電流時輸出電纜的線路壓降在0．6V以內(nèi)。通常是按2．5A／mm：的載流量來計算所需的電纜截面積。電纜的截面積過小或電纜長度過長、線路壓降太大，會導致輸電流達不到生產(chǎn)所需的電流值。
　　對于槽寬大于1．6m的鍍槽，應考慮采用雙邊進電的方式，并且雙邊電纜的長度應相等。這樣，才能保證雙邊電流誤差控制在一定范圍內(nèi)。鍍槽的每根飛巴的兩面應各連接一臺整流器，這樣可以對件的兩個面的電流分別予以調(diào)整。
　　(6)波形。目前，從波形角度來看，電鍍填孔有脈沖電鍍和直流電鍍兩種。這兩種電鍍填孔方式都已有人研究過。直流電鍍填孔采用傳統(tǒng)的整流器，操作方便，但是若在制板較厚，就無能為力了。脈沖電鍍填孔采用PPR整流器，操作步驟多，但對 于較厚的在制板的加工能力強。
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　　4.基板的影響
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　　基板對電鍍填孔的影響也是不可忽視的，一般有介質(zhì)層材料、孔形 、厚徑比、化學銅鍍層等因素。
　　(1)介質(zhì)層材料 。介質(zhì)層材料對填孔有影響。與玻纖增強材料相比，非玻璃增強材料更容易填孔。值得注意的是，孔內(nèi)玻纖突出物對化學銅有不利的影響。在這種情況下，電鍍填孔的難點在于提高化學鍍層種子層(seed layer)的附著力，而非填孔工藝本身。
　　事實上，在玻纖增強基板上電鍍填孔已經(jīng)應用于實際生產(chǎn)中。
　　(2)厚徑比。目前針對不同形狀，不同尺寸孔的填孔技術(shù)，不論是制造商還是開發(fā)商都對其非常重視。填孔能力受孔厚徑比的影響很大。相對來講，DC系統(tǒng)在商業(yè)上應用更多。在生產(chǎn)中，孔的尺寸范圍將更窄，一般直徑80pm～120Bm，孔深40Bm~8OBm，厚徑比不超過1：1。
　　(3)化學鍍銅層?；瘜W銅鍍層的厚度、均勻性及化學鍍銅后的放置時 間都影響填孔性能?；瘜W銅過薄或厚度不均，其填孔效果較差。通常，建議化學銅厚度>0．3pm時進行填孔。另外，化學銅的氧化對填孔效果也有負面影響。